晶闸管模块为什么会烧坏

晶闸管模块属于硅元件，硅元件的普遍特性是过载能力差，因此在使用过程中经常会出现晶闸管模块烧坏的现象。接下来，让我们看看晶闸管模块烧坏的真正原因。

晶闸管模块的烧坏由温度过高引起，温度由晶闸管模块的电特性、热特性、结构特性决定，因此保证晶闸管模块在开发、生产过程中的质量从电特性、热特性、结构特性三个方面着手，并且三者密切相关，密切相关烧坏晶闸管模块的原因很多，总的来说，由于三者的共同作用，造成晶闸管模块烧坏，一个单独的特性下降，产品闸管烧坏困难，因此在生产过程中可以充分利用这个特征，也就是说，如果其中一个应力不符合要求，可以采用提高其他两个应力的方法来弥补。

从晶闸管模块的各相参数来看，电压、电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关闭时间等经常发生事故的参数，有时也会极度烧毁。晶闸管模块各参数性能的下降和线路问题导致晶闸管模块烧损，表面上各参数导致晶闸管模块烧损的现象不同，因此可以通过解剖烧损的晶闸管模块来判断哪个参数导致晶闸管模块烧损。

一般来说，阴极表面和芯片边缘有烧伤的黑点是由电压引起的，电压引起的晶闸管模块烧伤的原因有两个。一个是晶闸管模块的电压故障，也就是我们常说的降低，电压故障分为早期故障、中期故障和晚期故障。二是线路问题，线路产生过电压，晶闸管模块采取的保护措施无效。

电流烧坏晶闸管模块通常在阴极表面有很大的烧坏痕迹，大面积溶解芯片、管壳等金属。di/dt引起的烧毁晶闸管模块现象容易判断，一般会在门极或放大门极附近烧成黑点。我们知道晶闸管模块的等效电路由两个可控硅构成，门极对应的可控硅作为触发用，目的是在触发信号到来时扩大，尽快引导主可控硅，但短时间内电流过大，主可控硅尚未完全引导，大电流主要相当于门极的可控硅dv/dt本身不会烧坏结晶闸管模块，但高dv/dt会误导晶闸管模块，其表面现象与电流烧坏现象大致相同。