经过50年左右的发展，我国电子元件产业经历了从无到有、从小到大的发展历程。从五、六十年代的初创到七十年代的成长，从八十年代的改革开放到九十年代以后的全面发展，我国电子元件产业无论产品种类、规格、产能和产量、技术水平都得到很大提高。中国加入WTO，更为我国电子元件产业带来了新的发展契机。也使全行业面临参与国际竞争的严峻挑战。我国的电子元件产业正向着更大规模生产和更高技术水准发展。
我国电子元件产业发展现状
我国电子元件经历了50年的辉煌历程发展，成就了我国成为全球电子元件制造业基地的稳定地位。我国电子元件产业规模，近20多年来的年增速达20％。2006年我国电子元件规模以上生产企业近3700家，销售收入超过5400亿元；销售收入1亿元以上企业已超过1000家。
我国电子元件的生产已进一步走向现代化和规模化发展，从而更稳固的确立了我国电子元件世界生产大国的地位。我国电子元件的产量已占全球的40％以上；产量居世界第一的产品有：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板等。其中，微特电机产量已占全球的60％以上。
但是，上述产品的销售额并非世界第一。这也有力地说明：我国在开发电子元件的高端产品方面，与发达国家还存在比较大的差距，我国要从电子元件生产大国步入电子元件生产强国还有很长的路要走。
我国电子元件行业的问题
低价取胜的营销策略，将势必导致持续竞争力的降低，甚致丧失。
低价营销是我国企业目前的主要杀手戟，这是在产品的技术含金量不如国外产品情况下的一种不得已行为。但却是一种近乎“自杀式”行为。我国元器件比日本产品的价格便宜5成的极为普遍，电阻器、加热器、连接器等通用零部件价格，有的甚至不足日本厂商产品的1／10。造成这种局面的主要原因在于：目前我国绝大部分元器件企业还是把自己的生存之本寄托在设备和营销上，而忽略了工艺的本质进步、高端人才的培养和技术开发的投入。
自主创新不足，产品质量水平在世界上属中低挡。是电子元件的生产大国，但决非生产强国。
最早开发镍电极多层陶瓷电容器(MLCC)的太阳诱电，目前MLCC的最高容量已达l00μF，出货量为170亿个／月。太阳诱电下城忠通曾表示，生产一颗高品质的高容值电容需要600多道制造工序，目前具备这种技术实力的厂家还很少，如在型号为0805的产品规格上太阳诱电可以做到22μF电容值，这是绝大部分竞争对手目前还做不到的。
由于手机、PC、数码相机、LCD TV等产量的持续增长，加上部分终端产品对电容单位需求量在迅速上升(如基于Intel 单核平台约需26.4μF外部电容，而到双核平台就需77．2 μF，翻了将近三倍)，目前高容值陶瓷电容全球市场供应持续紧缺。
电子元件质量水平参差不齐，产品的一致性、供货稳定性不够。
与当前国际上倡导并实施的技术创新、提升产品质量和服务水平差距甚远。
新功能、新结构和高性能（高温、高频、大容量、低ESR和ESL等）的电子元件仍需大量进口，整机国产化率仍然较低。
一方面我国元件产量大量增加，不少产品产量已居世界首位，但同时元件进出口贸易逆差确越来越大。电子元件企业和整机企业缺乏深层次合作，导致元件企业信息不灵，与整机配套十分被动、滞后。
通用元件生产过剩，不少企业在新型整机研发过程中所需新型元件，国内的元件生产企业又难以满足(一是时间上，二是技术指标和可靠性上)。
由此不难看出，我国电子元件行业所存在的问题是：产业规模大而不强——企业规模偏小；产品廉而不贵——技术开发能力弱，核心和关键技术依赖进口；营销上低价竞争——削弱了行业整体竞争力；片式化、复合化的技术发展缓慢，与世界强国差距很大。
信息产业发展对电子元件的技术需求
随着半导体集成电路生产与研发水平越来越高，产品线宽已进入纳米尺度（65nm~45nm，甚至32nm)，晶圆尺寸已发展到12英寸，甚至16英寸。电子整机的微小型化、集成化、高密度化都要求与之配套的电子元件必须满足：微小型化、片式化、复合化、多功能化。
电子整机、无线通讯的工作频率越来越高，已进入微波、毫米波频段，这就要求相应的元器件必须满足：微带化、宽频、低介、高频低损、低ESR、低ESL、复合化、集成化。
高频、大功率电源模块及高密度、小体积电源电路和专用电源（DC/DC、AC/DC）迫切要求电子元件必须满足：高功率密度、小体积、高频低损耗、耐浪涌能力强和耐高温。
世界电子元件发展预测
据日本电子工业振兴会对世界电子信息产业发展预测，2010年世界电子信息制造业市场将达19055亿美元。其中电子元件市场将达2800亿美元，占14．7％。另据报道，全球片式元器件产量将从2005年15000亿只，增至2010年25000亿只，年均增长13％。
在全球化的浪潮中，企业兼并重组，产业梯次转移，特别是世界电子元件产业规模不断扩大，生产集中度不断提高，新材料、新工艺、新设备的大量涌现，电子元件的技术又有了新的进展，主要表现在：
1.片式化、小型化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。
世界各国包括亚太地区、印度等发展中国家和地区，各类电子元件均已有相应的片式化产品。其中，片式电容、片式电阻、片式电感三大无源元件约占全球片式元件总产量的85％~90％。 来源:http://
电子元件片式化的同时，小型化也在迅速发展。不仅传统元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。以MLCC为例，1980年主流产品为3216(32×1.6×12mm)，2002年为1005(1.0×0.5×0.5 mm)，2005年0603(0.6×0.3×0.3 mm)已成为主流产品型式，产品的体积已经缩小到1980年时的1%。
2.电子元件复合化和集成化的步伐加快。
其中片式电阻网络技术早已成熟，1005型4连的片式电阻网络应用急速增长。片式MLCC网络1608型4连、1005型2连产品已批量生产。由于LTCC工艺技术的迅猛发展，片式集成无源元件(IPD)已在手机、局域网、蓝牙等领域获得应用，在2006年，已有15％ 手机中的无源元件被IPD取代。今后IPD在各类整机中的应用比例将迅速增加。
3.高性能化、高频化电子设备要求电子元件的使用频段向更高的方向发展。
电容器主要是降低ESR (等效串联电阻)和ESL(等效串联电感)，如3212型三端电容器(2200pf)要达到ESL=0. 03nH，ESR = 32mΩ，分别是常规产品的1／12和1／8。片式电感器的使用频率已达到12GHz。射频同轴连接器的工作频率已达110GHz。随着高工作温度在地质勘探、汽车电子和航空航天领域的需求日益高涨，-55℃～ +150℃和- 55℃～ +300 ℃的陶瓷电容器、-55℃～ +175℃和-55℃～+300℃的有机薄膜电容器、150℃2000h高温的铝电解电容器已经面世。500 ℃ ～1100 ℃的高温热敏电阻已在汽车电子中获得应用。此外，DC/DC电源模块国外功率密度已超过100~150W/in3。Al电解电容器高压大容量已达630WV，甚至700WV。高性能、高精度、高稳定（TCR≤10PPm/℃）簿膜电阻及其网络（片式化）在我国尚属空白，高性能整机需求迫切。
我国已成为电子元件世界的生产大国，但还不是生产强国。我国电子元件生产企业要做大做强，必须加强原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新，大力提高自主研发能力，提高产品水平，要瞄准世界水平为目标，培育自主品牌，开发具有自主知识产权的技术和产品。在不断扩大生产规模的同时，不断提升产品的技术水准。
